SanDisk ha annunciato di aver avviato il campionamento del suo chip BiCS10, la decima generazione di memoria 3D NAND flash sviluppata in collaborazione con Kioxia. Questo chip TLC da 1Tb raggiunge una densità di area di oltre 29 Gb per millimetro quadrato, con un miglioramento del 59% rispetto alla precedente generazione BiCS8. L'interfaccia Toggle DDR6.0 consente velocità di trasferimento fino a 4,8 Gb/s, un incremento del 33%, mentre il consumo energetico in input cala del 10% e quello in output del 34%.
La roadmap SanDisk prevede SSD da 256 TB nel 2026 e da 512 TB nel 2027
Il nuovo chip rappresenta il fondamento per i futuri SSD di capacità estrema. SanDisk ha già confermato una roadmap che include un'unità da 256 TB entro il 2026 e una da 512 TB entro il 2027. L'azienda ha anche accennato a un futuro SSD da 1 PB per data center, senza però impegnarsi su una data specifica. Questi traguardi di capacità dipenderanno dall'adozione della memoria QLC, verso cui SanDisk si orienterà per la maggior parte dei prodotti focalizzati sulla capacità entro il 2028. La tecnologia alla base deriva dalla partnership con Kioxia, che ha sviluppato una nuova generazione 3D NAND a 332 strati. Invece di aumentare il numero di bit per cella, le aziende hanno puntato su un maggior numero di strati, layout migliorati e nuovi progetti circuitali. Il chip ha raggiunto una velocità di trasferimento dati di 4,8 Gbps, riducendo al contempo il consumo energetico in lettura del 29% rispetto ai progetti precedenti.
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I prezzi delle attuali unità enterprise suggeriscono costi proibitivi per i modelli da 512 TB
Per comprendere quanto costeranno i futuri SSD da 512 TB, basta guardare ai prezzi odierni delle unità enterprise ad alta capacità. Ad esempio, la serie Solidigm D5-P5336 da 122,88 TB ha un prezzo al dettaglio compreso tra circa 49.275 e 64.168 dollari, a seconda della configurazione. Scalando il costo per terabyte verso un'unità da 512 TB, si arriva a una cifra ben superiore a 300.000 dollari quando la versione SanDisk raggiungerà il mercato nel 2027. La concorrenza in questo settore è intensa: Kioxia, Samsung, Solidigm e Micron corrono tutte verso traguardi di capacità simili con tempistiche comparabili. Samsung ha annunciato piani per un'unità da 512 TB con interfaccia PCIe 6.0 intorno al 2027, dopo un modello da 256 TB PCIe Gen 5 previsto per il 2026. Inoltre, l'offerta di NAND rimane limitata, con i prezzi dei contratti flash che si prevede aumenteranno dal 70 al 75% trimestre su trimestre fino a metà 2026. Questa scarsità, guidata principalmente dalla domanda enterprise legata all'infrastruttura AI generativa, manterrà i prezzi di queste unità elevati ben oltre il lancio iniziale.
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Per un approfondimento sulle tecnologie di storage, puoi leggere l'articolo su Pentagon e sonda cinese. Inoltre, per capire l'impatto dell'AI sui costi, consulta DeepSeek abbatte i prezzi. Secondo Wikipedia, la memoria NAND flash continua a evolversi per soddisfare le esigenze dei data center.
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